红旗1700V碳化硅技术开发成功

易车讯 日前，由研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。为未来适应“千伏”以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实基础，进一步拓宽了红旗新能源功率电子产品与技术版图。

据介绍，该功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。相关产品与技术可助力补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间。

结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术，该碳化硅功率器件在超高压平台下可充分发挥低损耗与高电流输出综合性能优势，有效提升动力系统的功率密度和效率，能够在高压、高温下稳定高效运行，可最大程度节约整车电耗，提升续驶里程。